大家也知道作為單晶而言，傳統(tǒng)方法就是直拉，德拉單晶棒及它的優(yōu)點很明顯，絕緣密度很低，效率高，缺點是投料少，操作復雜，成本高。如果用鑄錠方法從某種意義上來看，投料量確實做得很大，G6確實沒有問題，操作簡單，成本低，但是技術難度比較大。

這里我給出了一個最新的研究結果探討這個技術，這是今年在太陽能材料和電池雜志上發(fā)表的一篇最新報道，采用N型類單晶硅片做了HIT電池工藝。如果在鑄錠區(qū)域中間部分的硅片，它做得HIT即使在這樣一個鑄錠環(huán)境下做的硅片，中間轉換區(qū)域可以做到21.5%，但對我們來講依然有很大的挑戰(zhàn)。第一，籽晶，使用特定晶向的單晶，成本高于正常硅料。第三是效率的進一步提升，主要解決效率分布問題。第三是單晶區(qū)域在整個晶體中的比例提升，目標實現(xiàn)80%左右單晶硅片產出比例。

最后講一下鑄錠多晶發(fā)電量的研究。首先是溫度系數的影響，在戶外它不是標準的環(huán)境溫度，也不是標準的輻照度。這是我在網上找的一篇德國學者做的一個多晶組件測試，得到的溫度是-0.42，這個溫度跟我們常規(guī)理解還是比較接近的。

接下來看看溫度系數的對比，這個我也是找了德國文章數據，坦白說德國在過去幾年時間里，裝機應用依然走在世界前列，同時積累了很多系統(tǒng)運行的數據。從這個數據可以看到HIT結構溫度系數在所有晶硅里面是最好的，從薄膜來看，薄膜實際測試和模擬中溫度測試還是比較低的。傳統(tǒng)的無論是單晶硅，多晶硅，溫度在戶外基本上都是負0.4-0.5波動。如果未來我們要研究這么一個測試的條件，如何把組件溫度系數測準對我們來說是一個挑戰(zhàn)。

現(xiàn)在大家說在同樣瓦數組件上面，同樣的輻照下，單晶比多晶的溫度低5-6度，為什么會發(fā)生這樣的變化，值得我們去探討。

最終多晶組言系統(tǒng)未來研究的重點有以下幾個方面。

第一，各種高效硅片工藝以及高效電池結構導致的組件效率提升對最終系統(tǒng)發(fā)電量的影響，我想我們未來要關注這個方向的研究。

第二，多晶組件的光衰變化的趨勢與解決方案。

第三，鑄造單晶組件系統(tǒng)發(fā)電量的研究。

第四，多晶組件在弱光條件下的發(fā)電量的研究。剩下幾個我就不多講了，今天報道就分享到這里，謝謝大家。