為深入貫徹落實(shí)科學(xué)發(fā)展觀，引導(dǎo)光伏制造行業(yè)加快轉(zhuǎn)型升級，推動我國光伏產(chǎn)業(yè)持續(xù)健康發(fā)展，根據(jù)《國務(wù)院關(guān)于促進(jìn)光伏產(chǎn)業(yè)健康發(fā)展的若干意見》（國發(fā)[2013]24號）和國家有關(guān)法律法規(guī)及產(chǎn)業(yè)政策，按照優(yōu)化布局、調(diào)整結(jié)構(gòu)、控制總量、鼓勵創(chuàng)新、支持應(yīng)用的原則，制定本規(guī)范條件。
一、生產(chǎn)布局與項(xiàng)目設(shè)立
?。ㄒ唬┕夥圃炱髽I(yè)及項(xiàng)目應(yīng)符合國家資源開發(fā)利用、環(huán)境保護(hù)、節(jié)能管理等法律法規(guī)要求，符合國家產(chǎn)業(yè)政策和相關(guān)產(chǎn)業(yè)規(guī)劃及布局要求，符合當(dāng)?shù)赝恋乩每傮w規(guī)劃、城市總體規(guī)劃、環(huán)境功能區(qū)劃和環(huán)境保護(hù)規(guī)劃等要求。
?。ǘ┰趪曳煞ㄒ?guī)、規(guī)章及規(guī)劃確定或省級以上人民政府批準(zhǔn)的基本農(nóng)田保護(hù)區(qū)、飲用水水源保護(hù)區(qū)、自然保護(hù)區(qū)、風(fēng)景名勝區(qū)、重要生態(tài)功能保護(hù)區(qū)和生態(tài)環(huán)境敏感區(qū)、脆弱區(qū)等法律、法規(guī)規(guī)定禁止建設(shè)工業(yè)企業(yè)的區(qū)域不得建設(shè)光伏制造項(xiàng)目。上述區(qū)域內(nèi)的現(xiàn)有企業(yè)應(yīng)逐步遷出。
?。ㄈ﹪?yán)格控制新上單純擴(kuò)大產(chǎn)能的光伏制造項(xiàng)目。對加強(qiáng)技術(shù)創(chuàng)新、降低生產(chǎn)成本等確有必要的新建和改擴(kuò)建項(xiàng)目，報(bào)行業(yè)主管部門及投資主管部門備案。新建和改擴(kuò)建光伏制造項(xiàng)目，最低資本金比例為20%。
二、生產(chǎn)規(guī)模和工藝技術(shù)
?。ㄒ唬┕夥圃炱髽I(yè)應(yīng)采用工藝先進(jìn)、節(jié)能環(huán)保、產(chǎn)品質(zhì)量好、生產(chǎn)成本低的生產(chǎn)技術(shù)和設(shè)備。
?。ǘ┕夥圃炱髽I(yè)應(yīng)具備以下條件：在中華人民共和國境內(nèi)依法注冊成立，具有獨(dú)立法人資格；具有太陽能光伏產(chǎn)品獨(dú)立生產(chǎn)、供應(yīng)和售后服務(wù)能力；具有省級以上獨(dú)立研發(fā)機(jī)構(gòu)、技術(shù)中心或高新技術(shù)企業(yè)資質(zhì)，每年用于研發(fā)及工藝改進(jìn)的費(fèi)用不低于總銷售額的3%且不少于1000萬元人民幣；申報(bào)符合規(guī)范名單時(shí)上一年實(shí)際產(chǎn)量不低于本條第（三）款產(chǎn)能要求的50%。
（三）光伏制造企業(yè)按產(chǎn)品類型應(yīng)分別滿足以下要求：
1.多晶硅項(xiàng)目每期規(guī)模大于3000噸/年；
2.硅錠年產(chǎn)能不低于1000噸；
3.硅棒年產(chǎn)能不低于1000噸；
4.硅片年產(chǎn)能不低于5000萬片；
5.晶硅電池年產(chǎn)能不低于200MWp；
6.晶硅電池組件年產(chǎn)能不低于200MWp；
7.薄膜電池組件年產(chǎn)能不低于50MWp。
?。ㄋ模┈F(xiàn)有光伏制造企業(yè)及項(xiàng)目產(chǎn)品應(yīng)滿足以下要求：
1.多晶硅滿足《太陽能級多晶硅》（GB/T25074）1級品的要求；
2.多晶硅片（含準(zhǔn)單晶硅片）少子壽命大于2μs，電阻率在1-3Ω.cm，碳、氧含量分別小于16和18PPMA；單晶硅片少子壽命大于10μs，電阻率在1-3Ω.cm，碳、氧含量分別小于10和18PPMA；
3.多晶硅電池和單晶硅電池的光電轉(zhuǎn)換效率分別不低于16%和17%；
4.多晶硅電池組件和單晶硅電池組件的光電轉(zhuǎn)換效率分別不低于14.5%和15.5%；
5.硅基、銅銦鎵硒（CIGS）、碲化鎘（CdTe）及其他薄膜電池組件的光電轉(zhuǎn)換效率分別不低于8%、10%、11%、10%。
（五）新建和改擴(kuò)建企業(yè)及項(xiàng)目產(chǎn)品應(yīng)滿足以下要求：
1.多晶硅滿足《硅多晶》（GB/T12963）2級品以上要求；
2.多晶硅片（含準(zhǔn)單晶硅片）少子壽命大于2.5μs，電阻率在1-3Ω.cm，碳、氧含量分別小于8和6PPMA；單晶硅片少子壽命大于11μs，電阻率在1-3Ω.cm，碳、氧含量分別小于8和6PPMA；
3.多晶硅電池和單晶硅電池的光電轉(zhuǎn)換效率分別不低于18%和20%；
4.多晶硅電池組件和單晶硅電池組件光電轉(zhuǎn)換效率分別不低于16.5%和17.5%；
5.硅基、CIGS、CdTe及其他薄膜電池組件的光電轉(zhuǎn)換效率分別不低于12%、12%、13%、12%。
?。┒嗑Ч桦姵亟M件和單晶硅電池組件衰減率在2年內(nèi)分別不高于3.2%和4.2%，25年內(nèi)不高于20%；薄膜電池組件衰減率在2年內(nèi)不高于5%，25年內(nèi)不高于20%。
三、資源綜合利用及能耗
?。ㄒ唬┕夥圃炱髽I(yè)和項(xiàng)目用地應(yīng)符合國家已出臺的土地使用標(biāo)準(zhǔn)，嚴(yán)格保護(hù)耕地，節(jié)約集約用地。
（二）光伏制造項(xiàng)目能耗應(yīng)滿足以下要求：
1.現(xiàn)有多晶硅項(xiàng)目還原電耗小于80千瓦時(shí)/千克，綜合電耗小于140千瓦時(shí)/千克；新建和改擴(kuò)建項(xiàng)目還原電耗小于60千瓦時(shí)/千克，綜合電耗小于100千瓦時(shí)/千克；
2.現(xiàn)有硅錠項(xiàng)目平均綜合能耗小于9千瓦時(shí)/千克，新建和改擴(kuò)建項(xiàng)目小于7千瓦時(shí)/千克；如采用多晶鑄錠爐生產(chǎn)準(zhǔn)單晶或高效多晶產(chǎn)品，項(xiàng)目平均綜合能耗的增加幅度不得超過0.5千瓦時(shí)/千克；
3.現(xiàn)有硅棒項(xiàng)目平均綜合能耗小于50千瓦時(shí)/千克，新建和改擴(kuò)建項(xiàng)目小于45千瓦時(shí)/千克；
4.現(xiàn)有多晶硅片項(xiàng)目平均綜合能耗小于60萬千瓦時(shí)/百萬片，新建和改擴(kuò)建項(xiàng)目小于55萬千瓦時(shí)/百萬片；現(xiàn)有單晶硅片項(xiàng)目平均綜合能耗小于40萬千瓦時(shí)/百萬片，新建和改擴(kuò)建項(xiàng)目小于35萬千瓦時(shí)/百萬片；
5.電池項(xiàng)目平均綜合能耗小于15萬千瓦時(shí)/MWp；
6.晶硅電池組件項(xiàng)目平均綜合能耗小于8萬千瓦時(shí)/MWp；薄膜電池組件項(xiàng)目平均能耗小于50萬千瓦時(shí)/MWp。
