2014年7月7日，應(yīng)用材料公司宣布推出兩款幫助客戶解決在制造高性能、低功耗3D器件關(guān)鍵性挑戰(zhàn)的全新半導(dǎo)體制造系統(tǒng)，展示了其在高尖端半導(dǎo)體材料工程上的專業(yè)領(lǐng)先地位。其中，Applied Reflexion® LK Prime™ 化學(xué)機(jī)械研磨拋光系統(tǒng)(CMP)擁有出色的硅片平整拋光性能，能讓FinFET及3D NAND結(jié)構(gòu)的應(yīng)用達(dá)到納米級的精度。另一款A(yù)pplied Producer® XP Precision™化學(xué)氣相淀積系統(tǒng)(CVD)則能滿足垂直3D NAND結(jié)構(gòu)對淀積的基本要求。全新的CMP和 CVD設(shè)備直接解決了3D結(jié)構(gòu)在精密、材料及缺陷方面的挑戰(zhàn)，幫助其實現(xiàn)大批量生產(chǎn)。

 

應(yīng)用材料公司半導(dǎo)體材料事業(yè)部執(zhí)行副總裁兼總經(jīng)理Randhir Thakur博士表示：“隨著人們對移動性的需求日益增加，3D結(jié)構(gòu)也日趨復(fù)雜化，因而亟需工程領(lǐng)域的創(chuàng)新。復(fù)雜的設(shè)計需要大量新技術(shù)、新材料的投入，以實現(xiàn)最佳的器件性能，并提高產(chǎn)品良率。今天我們發(fā)布的最新CMP和 CVD系統(tǒng)，能夠滿足不同客戶的多樣需求，實現(xiàn)高級3D邏輯和內(nèi)存芯片的量產(chǎn)轉(zhuǎn)型。”

 

在3D 結(jié)構(gòu)中，CMP對FinFET的柵結(jié)構(gòu)和NAND階梯結(jié)構(gòu)起著至關(guān)重要的作用。新器件結(jié)構(gòu)的要求十分嚴(yán)苛，有些甚至需要增加至10個研磨拋光工序，而Reflexion LK Prime CMP系統(tǒng)的設(shè)計初衷便是滿足這些高要求。LK Prime設(shè)備以其先進(jìn)的工藝技術(shù)，史無前例地推出6個研磨拋光站和8個清洗站步驟并配有先進(jìn)的高精度工藝參數(shù)控制技術(shù)，使客戶能夠在硅片薄膜性能和產(chǎn)能方面得到顯著的改善與提高。通過為Reflexion LK Prime系統(tǒng)增加拋光和清洗站，硅片的產(chǎn)出得以翻倍，生產(chǎn)效率提升最高可達(dá)100%。

      

       通過獨(dú)立應(yīng)用每個研磨拋光站及清洗站，芯片制造商在拋光工藝上擁有了更大的靈活性，可以按不同要求提供特出工藝，精確控制薄膜拋光尺寸及平整度，減少器件缺陷及雜質(zhì)。LK Prime系統(tǒng)包含即時參數(shù)反饋分析和拋光終點(diǎn)探測控制技術(shù)，能夠保證硅片薄膜自身的均勻性及硅片與硅片間的可重復(fù)性，從而滿足未來器件的節(jié)點(diǎn)要求。憑借這些優(yōu)勢，LK Prime系統(tǒng)在控制FinFET的柵高上能使硅片上所有的器件元達(dá)到納米級的均勻性。這是一項十分重要的工藝，因為即使是FinFET柵高的一個極小變化，都會影響器件的性能和良率。對于3D NAND來講因其擁有更厚的薄膜層和大塊的表面結(jié)構(gòu)，需要持久和穩(wěn)定的研磨拋光工藝，多工藝加工站能為其提供穩(wěn)定和可控的拋光平坦化加工。