2014年7月7日，應用材料公司宣布推出兩款幫助客戶解決在制造高性能、低功耗3D器件關鍵性挑戰(zhàn)的全新半導體制造系統(tǒng)，展示了其在高尖端半導體材料工程上的專業(yè)領先地位。其中，Applied Reflexion® LK Prime™ 化學機械研磨拋光系統(tǒng)(CMP)擁有出色的硅片平整拋光性能，能讓FinFET及3D NAND結構的應用達到納米級的精度。另一款Applied Producer® XP Precision™化學氣相淀積系統(tǒng)(CVD)則能滿足垂直3D NAND結構對淀積的基本要求。全新的CMP和 CVD設備直接解決了3D結構在精密、材料及缺陷方面的挑戰(zhàn)，幫助其實現(xiàn)大批量生產(chǎn)。

 

應用材料公司半導體材料事業(yè)部執(zhí)行副總裁兼總經(jīng)理Randhir Thakur博士表示：“隨著人們對移動性的需求日益增加，3D結構也日趨復雜化，因而亟需工程領域的創(chuàng)新。復雜的設計需要大量新技術、新材料的投入，以實現(xiàn)最佳的器件性能，并提高產(chǎn)品良率。今天我們發(fā)布的最新CMP和 CVD系統(tǒng)，能夠滿足不同客戶的多樣需求，實現(xiàn)高級3D邏輯和內存芯片的量產(chǎn)轉型。”

 

在3D 結構中，CMP對FinFET的柵結構和NAND階梯結構起著至關重要的作用。新器件結構的要求十分嚴苛，有些甚至需要增加至10個研磨拋光工序，而Reflexion LK Prime CMP系統(tǒng)的設計初衷便是滿足這些高要求。LK Prime設備以其先進的工藝技術，史無前例地推出6個研磨拋光站和8個清洗站步驟并配有先進的高精度工藝參數(shù)控制技術，使客戶能夠在硅片薄膜性能和產(chǎn)能方面得到顯著的改善與提高。通過為Reflexion LK Prime系統(tǒng)增加拋光和清洗站，硅片的產(chǎn)出得以翻倍，生產(chǎn)效率提升最高可達100%。

      

       通過獨立應用每個研磨拋光站及清洗站，芯片制造商在拋光工藝上擁有了更大的靈活性，可以按不同要求提供特出工藝，精確控制薄膜拋光尺寸及平整度，減少器件缺陷及雜質。LK Prime系統(tǒng)包含即時參數(shù)反饋分析和拋光終點探測控制技術，能夠保證硅片薄膜自身的均勻性及硅片與硅片間的可重復性，從而滿足未來器件的節(jié)點要求。憑借這些優(yōu)勢，LK Prime系統(tǒng)在控制FinFET的柵高上能使硅片上所有的器件元達到納米級的均勻性。這是一項十分重要的工藝，因為即使是FinFET柵高的一個極小變化，都會影響器件的性能和良率。對于3D NAND來講因其擁有更厚的薄膜層和大塊的表面結構，需要持久和穩(wěn)定的研磨拋光工藝，多工藝加工站能為其提供穩(wěn)定和可控的拋光平坦化加工。